快科技 2 月 26 日音信，ASML Twinscan EXE:5000 EUV 是刻下宇宙上开始进的 EUV 极紫外光刻机，撑捏 High-NA 也即是高孔径，Intel 旧年抢先拿下了第一台，刻下一经在俄勒冈州 Fab D1 晶圆厂装置部署了两台，正在垂危地商议测试中。

Intel 资深首席工程师 Steve Carson 走漏，迄今完结，两台 EUV 光刻机一经坐褥了 3 万块晶圆，虽然不算许多，但别忘了这仅仅测试和商议使用的，并非商用量产，足以讲明注解 Intel 关于新光刻机是何等的爱重。

Steve Carson 还强调，完成雷同的责任，新款光刻机不错将曝光次数从 3 次减少到只需 1 次，措置步骤也从 40 多个减少到不及 10 个，从而大大检朴技术和本钱。

Intel 曾走漏，新光刻机的可靠性是上代的梗概两倍，但莫得走漏具体数据。

ASML EXE:5000 光刻机单次曝光的划分率不错作念到 8nm，比前代 Low-NA 光刻机的 13.5nm 赞助了多达 40％，晶体管密度也提高了 2.9 倍。

虽然，Low-AN 光刻机也能作念到 8nm 的划分率，但需要两次曝光，无论技术、本钱照旧良品率齐不够合算。

全速度量产的情况下，ASML EXE:5000 光刻机每小时可坐褥 400-500 块晶圆，而现在只须 200 块，后果赞助 100-150％之多。

Intel 将会使用 High-NA EUV 光刻机坐褥 14A 也即是 1.4nm 级工艺家具，但具体技术和家具不决，有可能在 2026 年傍边量产，能够用于改日的 Nova Lake、Razer Lake。

将在本年下半年量产的 Intel 18A 1.8nm 工艺，仍旧使用现存的 Low-NA EUV 光刻机，对应家具包括代号 Panther Lake 的下代酷睿、代号 Clearwater Forest 的下代至强。

二者齐一经全功能盛大启动，并开展了客户测试。

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